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概述
LED（全称为Light-emitting diode）是一种能发光的半导体电子元件。和普通的二极管一样，这些半导体材料会预先透过注入或搀杂等工艺以产生p、n架构。LED只能够往一个方向导通（通电）,当在两端加载合适的电压后，电流可以从p极（阳极）流向n极（阴极），而相反方向则不能。两种不同的载流子：空穴和电子在不同的电极电压作用下从电极流向p、n架构。当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的模式释放出能量，即发光。经过多年的发展，目前LED能够发出的光已经遍及可见光、红外线及紫外线，光度亦提高到相当高的程度，用途覆盖指示灯，显示板，照明等。
源表，SMU(Source Measure Unit)电源/测量单元，“源”为电压源和电流源，“表”为测量表，“源表”即指一种可作为四象限的电压源或电流源提供精确的电压或电流，同时可同步测量电流值或电压值的测量仪表。源表集合电压源、电流源、电压表、电流表的功能于一身，广泛用于各类精密器件的测量。
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常用测试参数
LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。其电压-电流之间的关系称为I-V特性。通过对LED电特性的测试，可以获得对应正向电压（Vf）、反向电压（Vr）及漏电流（Ir）等参数，以及相应的I-V曲线。常用的测试方法一般为在LED器件的两端，加电压测试电流，或者加电流测试电压。此外，还可以根据客户要求，搭配相应的光学测试系统，测试相应的光学性能。
（典型二极管I-V特性曲线） （LED光电测试系统示意图）
Vf正向导通电压测试
正向导通电压，是LED在正常工作电流下测量的电压值。当加载在LED两端的工作电压，低于导通电压时，通过LED的电流较小，不发光。当电压超过该值后，通过LED的电流随电压迅速增加，而后LED发光。常用测试方法为，将LED的正极接在高电位端，负极接在低电位端，逐渐增加LED的电流（电流值一般为几mA），并同时测量LED两端的电压（电压值范围在几V以内）。而后根据实际测试需要，对数据进行分析，得到相应的Vf值。
Vr 反向击穿电压测试
反向击穿电压，是所允许加载在LED两端的zui大反向电压。当二极管两端的反向电压超过Vr后，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。若长时间工作电压超过Vr，发光二极管可能被击穿损坏。常用测试方法为，将LED的正极接在低电位端，负极接在高电位端，逐渐增加LED的电流（电流值一般为几mA），并同时测量LED两端的电压（电压值范围在几V以内）。而后根据实际测试需要，对数据进行分析，得到相应的Vr值。由于源表可作为四象限工作的电压源，因此，在测试时，无需将接线端反接。源表内部会自动根据设定值，切换输出端的极性。
Ir漏电流测试
漏电流，指LED处于反向偏置状态时，流过二极管的微弱反向电流。此时，LED两端的电压低于Vr。常用的测试方法为，将LED的正极接在低电位端，负极接在高电位端，而后根据实际测试需要，设定加载在LED两端的电压，测量电流Ir。
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绘制LED I-V特性曲线测试
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连接
如下图所示，选择合适的夹具，将LED与S型源表进行连接
（源表测试连接示意图）
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测试步骤
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步骤 |
操作方法 |
操作界面 |
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选择扫描模式 |
【主界面】—>【扫描模式】 |
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设置扫描参数 |
根据实际测试需要，选择并设置相应的参数。比如：【扫描类型】，【限值】，【扫描模式】，【扫描点】等 |
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启动测试 |
点击【开始扫描】，即可启动测试 |
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测试数据 |
待测试完毕后，会自动根据测试结果绘制I-V曲线，并显示在屏幕上。此外，如果选择保存【开始扫描】，也可在插入U盘后，导出测试数据 |
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S型源表简介
普赛斯S系列高精度源表，集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品zui大输出电压达300V，zui小测试电流达100pA，分辨率低至10pA，支持四象限工作，因此,可广泛应用于各种半导体器件I-V电特性测试，如半导体IC，功率半导体器件，传感器，LED等。产品具有如下特点：
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采用5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作，操作简单方便
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内置丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
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四象限工作模式，可在源模式或肼模式下工作
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支持USB存储，一键导出测试报告
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兼容多种上位机通讯方式，RS-232、GPIB及以太网
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可搭配普赛斯自主开发的上位机软件使用，快速实现不同器件的测试
以上是关于LED电性能测试用源表的方案介绍，更多有关源表用于LED电性能测试的信息找普赛斯仪表专员为您介绍一八一四零六六三四七六