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武汉普赛斯仪表有限公司

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微电子器件与材料实验用数字源表
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产品: 浏览次数:172微电子器件与材料实验用数字源表 
品牌: 普赛斯仪表
尺寸: 425*255*106mm
测试范围: 0~300V/0~1A
工作环境: 25±10℃
单价: 1000.00元/台
最小起订量: 1 台
供货总量: 10000 台
发货期限: 自买家付款之日起 30 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-11-21 10:26
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详细信息
 本科生微电子器件及材料实验目的

通过实验动手操作,加深对半导体物理理论知识的理解,掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能,培养分析问题和解决问题的能力。

本科生微电子器件及材料实验目录
实验一:金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二:四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三: MOS电容的CV特性测试实验
实验四:半导体霍尔效应测试实验实验
实验五:激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六:太阳能电池的特性表征实验

本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用,专业权威,方便学生动手操作
核心设备测试精度高,满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全,平台化设计,有专人维护支持,与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点,可逐步升级,满足日益增加的实验室测试需求

本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能

实验名称

测试参数

金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验

输出特性曲线

转移特性曲线

跨导gm

击穿电压BVDS

四探针法测量半导体电阻率测试实验

 

四探针法电阻率ρ

材料阻值R

MOS电容的CV特性测试实验(低频 + 高频)

CV特性曲线

半导体霍尔效应测试实验

霍尔电压VH

霍尔电阻率ρ

霍尔系数RH

载流子浓度n

霍尔迁移率u

 

激光二极管LDLIV特性测试

 

LIV特性曲线

阈值电流Ith

阈值电流对应电压值Vth

拐点Kink

线性电阻Rs

太阳能电池的特性表征

 

开路电压Voc

短路电流Isc

功率zui大值Pmax

填充因子FF

转换效率η

串联电阻Rs

旁路电阻Rsh

本科生微电子器件及材料实验测试平台核心

测试平台的核心– 源测量单元(源表, SMU)

微电子器件及材料实验室测试平台

普赛斯国产源表五表合一 四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求

交流测试使用LCR表

LCR表

 

探针台:4寸或6寸手动探针台

4寸或6寸手动探针台

 

有关国产源表搭建高校实验室测试平台的更多信息请咨询一八一四零六六三四七六

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